相关研究以Highperformancenonvolatileorganicfield-effecttransistor memorydevicesbasedonpyrenediimidederivative为题目，商业世界发表在InfoMat上。
文献链接：改变国Adduct-basedp-dopingoforganicsemiconductors（NatureMater.，2021，DOI：10.1038/s41563-021-00980-x）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。从棉复杂的化学结构的掺杂物需要昂贵的合成和纯化步骤。
掺杂剂分子在掺杂过程中成为反离子，花帝并留在主有机半导体中。插图：芯片在固定的最大功率点电压下，各个PSCs的SPO。战争该成果以题为Adduct-basedp-dopingoforganicsemiconductors发表在了NatureMater.上。
然而，商业世界诸如掺杂效率低和掺杂不稳定等挑战仍然存在。图2DMSO-HBr加合物的掺杂机理a，改变国b）在氯苯中加入螺旋OMeTAD后DMSO-HBr混合物的FTIR光谱，改变国显示了掺杂过程中S=O吸光度区域（a）和OH拉伸吸光度区域（b）中加合物的消耗和H2O的形成。
从棉e）不同掺杂剂和反离子的太阳能电池的J–V曲线。
二甲基亚砜（DMSO）与氢溴酸（HBr）的溶液过去曾被用于材料合成过程中有机分子的氧化，花帝如将二苯基乙烷氧化成苄基，将乙炔酮氧化成芳基乙醛。芯片现在就跟随中国著名水龙头品牌的小编来看看企业该怎么谋长足的发展。
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